99,999% 5N gaz approprié GeH4 utilisé dans l'industrie électronique

99,999% 5N gaz approprié GeH4 utilisé dans l'industrie électronique

Description :

Approprié est typiquement préparé par la réduction de composés de germanium, notamment bioxyde de germanium, avec des réactifs d'hydrure tels que la borohydrure de sodium, borohydrure de potassium, borohydrure de lithium, hydrure en aluminium de lithium, hydrure en aluminium de sodium. La réaction à des borohydrures est catalysée par de divers acides et peut être effectuée dans le dissolvant aqueux ou organique. Sur l'échelle de laboratoire, appropriée peut être préparé par la réaction de la GE (IV) des composés avec des ces réactifs d'hydrure. Une synthèse typique a impliqué la réaction de Na2GeO3 de la borohydrure de sodium.

Caractéristiques :

1. Propriétés physiques

2. Données techniques typiques (COA)

3. Détails de emballage :

4. Applications :

Le trifluorure d'azote (NF3) a été très utilisé dans l'industrie électronique, le semi-conducteur et l'industrie solaire etc. de photoélectricité que c'est bonne gravure à l'eau-forte et un gaz de nettoyage avec des avantages sans restant, la vitesse de nettoyage élevée et facile à se décomposer.