Gaz C4F6 électroniques pour les appareils électriques de Digital/Crystal Displays liquide

Gaz C4F6 utilisé dans les appareils électriques numériques et les affichages à cristaux liquides

Description :

Dans la molécule C4F6 le C : Le rapport de F est assez haut pour commander la quantité de polymère sur la surface de chambre et la surface de gaufrette en ce qui concerne des radicaux gravure à l'eau-forte de F. Plus important est, que la caractéristique intrinsèque permet la sélectivité élevée aux substrats ou la photo résiste et par exemple C4F8 comparé par fenêtres de processus plus larges (Octafluorobutane). Ce comportement est particulièrement salutaire pour satisfaire le besoin de sous-marin des conditions de 0,25 m.

Dans l'utilisation de l'argon comme sélectivité de nitrure de gaz porteur peut avoir comme conséquence une fonction décroissante. Xénon car l'autre gaz porteur possible a une sélectivité accrue. Par conséquent les mélanges d'Ar/Xe sont un bon compromis.

Marchés et applications

L'INFORMATION TOXICOLOGIQUE

Applications :

1. C4F6 est suggéré pour l'usage dans le plasma, faisceau d'ions ou pulvérise gravure à l'eau-forte dans la fabrication de dispositifs de semi-conducteur.

2. En particulier on a observé des résultats exceptionnels gravure à l'eau-forte diélectrique de plasma avec Xe et en AR en tant que le gaz porteur et dilutants. Dans le plasma le diélectrique le gravant à l'eau-forte est important pour commander les chimies de plasma afin d'équilibrer des espèces gravure à l'eau-forte et de dépôt.