10% appropriés et mélanges de gaz d'hydrogène dans des cylindres 49L emploient dans l'industrie de semi-conducteur

10% appropriés et mélanges de gaz d'hydrogène dans des cylindres 49L emploient dans l'industrie de semi-conducteur

Description :

Le gaz se décompose près de 600K en germanium et hydrogène. En raison de sa labilité thermique, appropriée est employé dans l'industrie de semi-conducteur pour la croissance épitaxiale du germanium par MOVPE ou épitaxie chimique de poutre. Des précurseurs d'Organogermanium (par exemple isobutylgermane, trichlorures d'alkylgermanium, et trichlorure d'imethylaminogermanium) ont été examinés en tant que solutions de rechange liquides moins dangereuses à approprié pour le dépôt des films GE-contenants par MOVPE.

Caractéristiques :

1. Propriétés physiques

2. Données techniques typiques (COA)

3. Détails de emballage :

4. Applications :

Le trifluorure d'azote (NF3) a été très utilisé dans l'industrie électronique, le semi-conducteur et l'industrie solaire etc. de photoélectricité que c'est bonne gravure à l'eau-forte et un gaz de nettoyage avec des avantages sans restant, la vitesse de nettoyage élevée et facile à se décomposer.